CSD18537NKCS

Texas Instruments
595-CSD18537NKCS
CSD18537NKCS

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

Datenblatt:
ECAD Model:
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
56 A
14 mOhms
20 V
2.6 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
94 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3.9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 100 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3.2 ns
Serie: CSD18537NKCS
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 12.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4.5 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
China
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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