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CSD19505KCS

Name: Texas Instruments CSD19505KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19505KCS
Price: 3.52 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD19505KCS

Herst.- Nr.:

CSD19505KCS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD19505KCS Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	76 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	262 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	CSD19505KCS
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g

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SPICE Models

CSD19505KCS PSpice Model (Rev. A)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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Beschreibung: MOSFETs 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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