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CSD87313DMS

Name: Texas Instruments CSD87313DMS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMS
Price: 1.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87313DMS

Herst.- Nr.:

CSD87313DMS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Datenblatt:

CSD87313DMS Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	13 ns, 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	149 S, 149 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns, 27 ns
Serie:	CSD87313DMS
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	41 ns, 41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns, 9 ns
Gewicht pro Stück:	5.500 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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	CHF 0.649	CHF 649.00
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Herst. Teilenr.:

CSD87313DMST

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.64

Min:

CSD87313DMS

Herst.: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Technische Daten

Dokumente (3)

Datenblatt

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Umweltunterlagen

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NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

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