CSD87331Q3D

Texas Instruments
595-CSD87331Q3D
CSD87331Q3D

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block

Datenblatt:
ECAD Model:
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LSON-CLIP-8
N-Channel
2 Channel
30 V
15 A
18 mOhms, 5.5 mOhms
- 8 V, 10 V
1.2 V, 2.1 V
2.7 nC, 6.4 nC
- 55 C
+ 150 C
6 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 1.3 ns, 2.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 48 S / 26 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4.5 ns, 4.7 ns
Serie: CSD87331Q3D
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 7.4 ns, 11.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 3.4 ns, 3.8 ns
Gewicht pro Stück: 41 mg
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
China
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 1.57 CHF 1.57
CHF 0.713 CHF 7.13
CHF 0.636 CHF 63.60
CHF 0.503 CHF 251.50
CHF 0.476 CHF 476.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.412 CHF 1’030.00
CHF 0.40 CHF 2’000.00
CHF 0.39 CHF 3’900.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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