CSD87381P

Texas Instruments
595-CSD87381P
CSD87381P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87381PT

Datenblatt:
ECAD Model:
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PTAB-5
N-Channel
2 Channel
30 V
8 A
16.3 mOhms, 7.6 mOhms
8 V
1 V, 1.1 V
3.9 nC, 8.9 nC
- 55 C
+ 150 C
4 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 3 ns, 2.9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 40 S, 89 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 19.3 ns, 16.3 ns
Serie: CSD87381P
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 10.6 ns, 16.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 6.7 ns, 7.9 ns
Gewicht pro Stück: 33.200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
China
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

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Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 1.49 CHF 1.49
CHF 0.698 CHF 6.98
CHF 0.604 CHF 60.40
CHF 0.405 CHF 202.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.329 CHF 822.50
CHF 0.305 CHF 1’525.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
CSD87381PT
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 1.61
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1

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