450 ps Halbleiter

Arten von Halbleitern

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ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242