8 ns Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15
Nein
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 15
Mult.: 15
Nein
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 168
Mult.: 84
Nein
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GSI Technology GS81284Z18B-167I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
GSI Technology GS81284Z18B-167IV
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
GSI Technology GS81284Z36B-167I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
GSI Technology GS81284Z36B-167IV
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
GSI Technology GS8640FZ18GT-8.0V
GSI Technology SRAM Nicht auf Lager
Min.: 18
Mult.: 18

GSI Technology GS8640FZ36GT-8.0V
GSI Technology SRAM Nicht auf Lager
Min.: 18
Mult.: 18


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500