TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™5 IBGTs sind die nächste Generation von Dünnwafer-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), die über deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste im Vergleich zu derzeit führenden Lösungen verfügen. Kein anderer IGBT auf dem Markt kann bei der Leistung des TRENCH ™ 5 mithalten. Diese sind für Anwendungen, mit Schaltung > 10 kHz ausgelegt. Die Waferdicke wurde auf > 25% reduziert, was eine deutliche Verbesserung sowohl bei der Reduzierung von Schalt- und Durchlassverlusten ermöglicht und gleichzeitig eine Durchbruchspannung von 650 V bietet. Dieser Quantensprung an Effizienz eröffnet Designern neue Forschungsmöglichkeiten.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
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Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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156Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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585Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 148 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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101Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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283Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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960Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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4’018erwartet ab 10.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 38 A 125 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube