100 V bis 150 V StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs

Infineon TechnologiesInfineon Technologies StrongIRFET ™ 100-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs sind für einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und eine hohe Strombelastbarkeit optimiert. Diese Bauteile bieten einen RDS(on) von nur 1,3 mΩ bei 100 V und eine Strombelastbarkeit von bis zu 209 A bei 100 V. Diese Merkmale führen zu geringeren Leitungsverlusten und einer höheren Leistungsdichte, während gleichzeitig ältere Designs berücksichtigt werden. Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFETs sind ideal für Niederfrequenzapplikationen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt ein breites Spektrum an Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
4’788Auf Lager
400Auf Bestellung
CHF 6.06
CHF 3.25
CHF 2.98
CHF 2.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
1’931Auf Lager
CHF 7.10
CHF 4.00
CHF 3.42
CHF 3.22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
7’687Auf Lager
CHF 5.16
CHF 3.38
CHF 2.50
CHF 2.21
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
13’918Auf Lager
CHF 7.97
CHF 4.86
CHF 4.43
CHF 4.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
1’419Auf Lager
1’200erwartet ab 11.02.2027
CHF 9.01
CHF 5.04
CHF 4.64
CHF 4.56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
2’262Auf Lager
3’600Auf Bestellung
CHF 6.80
CHF 4.78
CHF 3.88
CHF 3.43
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Datenblatt
674Auf Lager
CHF 15.72
CHF 10.89
CHF 9.07
CHF 8.30
CHF 7.66
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
759Auf Lager
800erwartet ab 05.11.2026
CHF 3.51
CHF 2.30
CHF 1.71
CHF 1.43
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
2’648Auf Lager
2’400erwartet ab 19.01.2027
CHF 6.82
CHF 3.73
CHF 3.43
CHF 3.04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Datenblatt
33’408Auf Bestellung
CHF 3.24
CHF 1.79
CHF 1.53
CHF 1.32
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
CHF 10.90
CHF 8.13
CHF 6.43
CHF 6.24
CHF 6.05
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube