DMWSH120Hx 1.200 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind Siliziumkarbid-MOSFETs, die zur Reduzierung des Einschaltwiderstands und zur Aufrechterhaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung ausgelegt sind. Diese MOSFETs verfügen über eine niedrige Eingangskapazität, einen Null-Gate-Spannungs-Drainstrom von bis zu 100 μA, einen Gate-Source-Ableitstrom von bis zu ±250 nA und eine hohe BVDSS -Nennleistung für Stromapplikationen. Die DMWSH120Hx MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben und entsprechen der UL 94 V-0 Brennbarkeitsklasse. Diese Leistungs-MOSFETs sind ideal geeignet für den Einsatz in EV-Hochleistungs-DC/DC-Wandlern, EV-Ladesystemen, Solaranlagen-Umrichtern, AC-DC-Traktionsumrichtern und Fahrzeugmotortreibern.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
20Auf Lager
CHF 26.05
CHF 17.55
CHF 16.03
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
17Auf Lager
CHF 26.05
CHF 17.55
CHF 16.26
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
20Auf Lager
CHF 30.79
CHF 21.24
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
31Auf Lager
CHF 15.53
CHF 9.34
CHF 8.77
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole To-247-3 1 Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
78Auf Lager
CHF 10.09
CHF 5.72
CHF 5.30
CHF 5.15
CHF 4.93
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 170 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
60Auf Lager
CHF 12.45
CHF 7.17
CHF 6.66
CHF 6.63
CHF 6.44
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
87Auf Lager
CHF 10.09
CHF 5.72
CHF 5.15
CHF 4.61
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
60Auf Lager
CHF 12.45
CHF 7.17
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
120Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
CHF 31.10
CHF 20.35
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Datenblatt
100Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
CHF 8.28
CHF 5.44
CHF 4.60
CHF 4.38
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement