Zusammengefügte 650 V-Leistungs-SiC-PIN-Schottky-Dioden

Die zusammengefügten 650 V Leistungs-SiC-PIN-Schottky-Dioden von Vishay Semiconductors sind für eine hohe Leistungsfähigkeit ausgelegt und der MPS-Aufbau der Dioden bietet eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Durchlassstromstößen. Diese Dioden sind die optimale Wahl für hartes Hochgeschwindigkeits-Schalten und einen effizienten Betrieb über einen großen Temperaturbereich. Die VS-Cx Schottky-Dioden verfügen über praktisch kein Recovery-Ende und keine Schaltverluste, weisen aber ein temperaturinvariantes Schaltverhalten auf. Diese Dioden sind in verschiedenen Nennströmen erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören AC/DC-Blindleistungskompensation (PFC) und DC/DC-Ausgangsgleichrichtung mit extrem hoher Frequenz in FBPS- und LLC-Wandlern.

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Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden RECT 650V 8A SM POWER SIC
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Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden RECT 650V 10A SM POWER SIC
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Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden Si CARBIDE DIODE Nicht auf Lager
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Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden Si CARBIDE DIODE Nicht auf Lager
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