DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs)

Die DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs) von Diodes Incorporated in kleineren, thermisch effizienten PowerDI®3333-8-Gehäusen angeboten. Diese Transistoren sind in einem oberflächenmontierbaren PowerDI-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm x 0,8 mm untergebracht. Das Gehäuse benötigt 70 % weniger Leiterplattenplatz (PCB) als herkömmliche Transistoren mit kleinem Umriss (SOT223). Die PowerDI3333-Gehäuse erhöhen den PCB-Durchsatz mit benetzbaren Flanken, wodurch die automatische optische Inspektion (AOI) mit hoher Geschwindigkeit von Lötstellen vereinfacht wird. Diese NPN- und PNP-Transistoren können Funktionen, wie z. B. eine Linear- oder LDO-Regelung, ein Gate-Driving von MOSFETs oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Lastschaltern über Industrie- und Verbraucherapplikationen durchführen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Datenblatt
25Auf Lager
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Min.: 1
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: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 60 V 80 V 7 V 206 mV 3.1 W 140 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Datenblatt
5Auf Lager
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: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 40 V 50 V 7 V 200 mV 3.1 W 100 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Datenblatt
8’582Auf Lager
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: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 2 A 100 V 120 V 7 V 150 mV 3.1 W 175 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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1’966Auf Lager
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: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 25 V 35 V 7 V 180 mV 3.1 W 240 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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12Auf Lager
2’000erwartet ab 15.12.2027
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: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 60 V 80 V 7 V 200 mV 3.1 W 175 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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2’460Auf Lager
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 2 A 100 V 120 V 7 V 260 mV 3.1 W 140 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Datenblatt
12’000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
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: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 25 V 35 V 7 V 164 mV 3.1 W 160 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
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Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 45 V 45 V 7 V 140 mV 3.1 W 150 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 40 V 50 V 7 V 200 mV 3.1 W 100 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel