Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Arten von diskreten Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 102
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFET-Module TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Datenblatt
116Auf Lager
1’070Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS MOSFETs 230A 200V
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Datenblatt
214Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Datenblatt
1’498Auf Lager
1’750Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFETs 110 Amps 250V
Datenblatt
587Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs MOSFET Id180 BVdass100
Datenblatt
490Auf Lager
750erwartet ab 11.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
245Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs 230A 200V
Datenblatt
1Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
Datenblatt
132Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
Datenblatt
167Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
Datenblatt
56Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Datenblatt
185Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
Datenblatt
55Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
Datenblatt
274Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
Datenblatt
740Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Datenblatt
15erwartet ab 26.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFETs 102 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 110 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 33 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 33 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 160 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 230Amps 100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3