PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistoren

Die Transistoren PowerGaN E-Mode G-HEMT™ von STMicroelectronics sind leistungsstarke GaN-Bauelemente des Enhancement-Modus (Normal-Off), die für außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Durchlassverluste und hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Stromumwandlungsanwendungen ausgelegt sind. Diese Transistoren nutzen die Vorteile der großen Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Rücklaufladung von Null zu erzielen, was im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsschaltern aus Silizium einen überragenden Wirkungsgrad ermöglicht.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Technologie
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
340Auf Lager
Cut-Tape
CHF 8.02
CHF 4.42
CHF 4.13
CHF 3.50
Reel
CHF 3.50
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800
SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
880Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.77
CHF 3.78
CHF 2.79
CHF 2.47
CHF 2.34
Reel
CHF 1.98
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
949Auf Lager
Cut-Tape
CHF 4.84
CHF 3.17
CHF 2.37
CHF 1.98
Reel
CHF 1.62
Anzeigen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
900Auf Lager
Cut-Tape
CHF 4.08
CHF 2.91
CHF 2.19
CHF 2.11
Anzeigen
Reel
CHF 1.52
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
987Auf Lager
Cut-Tape
CHF 3.25
CHF 1.65
CHF 1.50
CHF 1.24
Reel
CHF 1.05
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
970Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.89
CHF 1.88
CHF 1.32
Reel
CHF 1.32
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100
: 3’000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
521Auf Lager
2’500erwartet ab 30.04.2027
Cut-Tape
CHF 1.93
CHF 0.945
CHF 0.877
CHF 0.709
Reel
CHF 0.556
Anzeigen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
2’500erwartet ab 30.04.2027
Cut-Tape
CHF 2.31
CHF 1.14
CHF 1.03
CHF 0.829
Reel
CHF 0.691
Anzeigen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Reel
CHF 4.41
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000
SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si