Infineon - IR Entwicklungs-Leistungssysteme

Die Infineon-IR Leistungs-MOSFETs sind für eine bessere Wirksamkeit, Leistungsdichte und Kosteneffizienz für ihre Produkte ausgelegt. Der gesamte Bereich von OptiMOS™ und StrongIRFET™ n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ermöglichen Innovation und Leistung in Anwendungen wie z. B. Schaltnetzteilen (SMPS), Motorsteuerung und -antriebe, Umrichter und Datenverarbeitung. Die OptiMOS™ und StrongIRFET™ Familien decken den 20V bis 300V Bereich der MOSFET-Produkte ab. Infineon bietet die OptiMOS™ und StrongIRFET™ Produktfamilien an. Es handelt sich um zwei hoch-innovative Familien, die konstant die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen der wichtigsten Spezifikationen von Leistungssystementwicklungen erfüllen. OptiMOS™ ist der Marktführer von hocheffizienten Lösungen für die Energiegewinnung, Stromversorgung und den Stromverbrauch.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 80V 82A TDSON-8
Datenblatt
15’000erwartet ab 29.10.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 82 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 27 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
24’995Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
Datenblatt
9’065erwartet ab 18.03.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 36 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
10’000erwartet ab 17.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 16.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
Datenblatt
775erwartet ab 29.01.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Datenblatt
1Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 165 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
1’344erwartet ab 13.05.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Datenblatt
799erwartet ab 10.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
4’995Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 67 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 85 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS 5 Reel