CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400 V Siliciumcarbid (SiC) G2 MOSFETs werden in einem TO-247PLUS-4 Reflow- Gehäuse angeboten. Diese Infineon MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen mit hoher Ausgangsleistung, wie z. B. das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Batterie Energie Speicher Batteriespeichersysteme (BESS), Nutzfahrzeuge / Baufahrzeuge / Landwirtschaftliche Fahrzeuge (CAV) und mehr. CoolSiC™ MOSFET G2 1.400 V Technologie ist eine Spitzentechnologie die verbessertes thermisches Betriebsverhalten eine erhöhte Leistungsdichte und eine gesteigerte Zuverlässigkeit bietet. Das Paket beinhaltet Reflow Fähigkeit (3x Reflow-Löten möglich), wodurch ein niedrigerer thermischer Widerstand ermöglicht wird.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
565Auf Lager
CHF 32.54
CHF 23.51
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
190Auf Lager
CHF 47.01
CHF 40.10
CHF 33.08
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
224Auf Lager
CHF 27.47
CHF 22.00
CHF 19.02
CHF 18.01
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
230Auf Lager
CHF 15.35
CHF 11.70
CHF 9.74
CHF 8.69
CHF 8.12
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
414Auf Lager
CHF 12.07
CHF 6.80
CHF 6.66
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Datenblatt
238Auf Lager
Cut-Tape
CHF 25.06
CHF 20.06
CHF 17.34
Reel
CHF 17.34
CHF 16.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
342Auf Lager
CHF 12.22
CHF 9.31
CHF 7.76
CHF 6.91
CHF 6.46
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
67Auf Lager
240erwartet ab 05.11.2026
CHF 17.13
CHF 12.80
CHF 11.06
CHF 10.47
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
109Auf Lager
240erwartet ab 05.11.2026
CHF 14.44
CHF 8.28
CHF 8.12
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
126Auf Lager
240Auf Bestellung
CHF 14.00
CHF 10.67
CHF 8.89
CHF 7.92
CHF 7.39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
1’440Auf Bestellung
CHF 10.67
CHF 7.96
CHF 6.64
CHF 5.16
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC