SuperFET® II Leistungs-MOSFETs

Die FairchildSuperFET®-Leistungs-MOSFETs gehören zu einer neuen Generation proprietärer Hochspannungs-MOSFET-Familien, die einen fortschrittlichen Ladeausgleichsmechanismus für einen herausragenden niedrigen On-Widerstand und eine Gate-Ladung mit geringer Leistung nutzen. Diese fortschrittliche Technik wurde speziell zur Minimierung von Leitungsverlusten ausgerichtet, bietet ein überlegenes Schaltverhalten und widersteht extremen dv/dt-Raten und Avalanche-Energien. Diese SuperFET®-MOSFETs sind für eine Vielzahl von AC-DC-Leistungsumwandlungen im Schaltmodusbetrieb für System-Miniaturisierung und höheren Wirkungsgrad geeignet.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

onsemi MOSFETs 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 229 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET, FRFET Tube
onsemi MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
Datenblatt
217Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 299 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFETs 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Datenblatt
800erwartet ab 07.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 136 W Enhancement SuperFET II Tube