SIRA20DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:
ECAD Model:
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
580 uOhms
- 12 V, 16 V
1 V
200 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: SIR
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 506.600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiRA20DP 25 V n-Kanal-MOSFET

Der 25V n-Kanal-MOSFET SiRA20DP von Vishay verfügt über eine optimierte Gesamtgatter-Ladung (Qg), Gatter-Drain-Ladung (Qgd) und ein Qgd/Gatter-Quellen-Ladungsverhältnis (Qgs), das den Schaltverlust reduziert. Das TrenchFET® Gen IV Gerät SiRA20DP ist zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Typische Applikationen sind die synchrone Gleichrichtung, hohe DC-DC-Leistungsdichte, synchrone Abwärtswandler, OR-ing, Lastschalten und Batteriemanagement.
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Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Auf Lager: 1’344

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Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 2.42 CHF 2.42
CHF 1.57 CHF 15.70
CHF 1.08 CHF 108.00
CHF 0.877 CHF 438.50
CHF 0.852 CHF 852.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.852 CHF 2’556.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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