G3VM-QR MOSFET-Relais

Das Omron Electronics G3VM-QR MOSFET-Relais zeichnet sich durch eine niedrige Sperrkapazität, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine maximale Schaltleistung von 400 mA bei 60 V aus. Das G3VM-QR ist ein kompaktes, leichtgewichtiges Relais, das in einem S-VSON (L) Gehäuse von 1,3 mm x 2 mm x 1,45 mm untergebracht ist. Weitere Vorteile sind eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine saubere Signalübertragung und eine höhere Dichteflexibilität aufgrund des Betriebs bei Umgebungstemperaturen von -40 °C bis +110 °C. Das G3VM-QR MOSFET-Relais von Omron Electronics eignet sich für Halbleitertestgeräte, Kommunikationsgeräte, Stromversorgungen und Datenlogger.