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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE 712Auf Lager
CHF 17.68
CHF 13.14
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1’701Auf Lager
CHF 11.77
CHF 7.08
CHF 6.98
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 299Auf Lager
CHF 8.38
CHF 4.82
CHF 4.46
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24’949Auf Bestellung
Cut-Tape
CHF 4.87
CHF 3.19
CHF 2.39
CHF 1.99
Reel
CHF 1.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
1’660Auf Bestellung
CHF 14.92
CHF 11.36
CHF 9.47
CHF 8.43
CHF 7.88
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
978Auf Bestellung
CHF 6.66
CHF 4.11
CHF 3.80
CHF 3.02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
CHF 7.05
CHF 4.15
CHF 3.44
CHF 3.43
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC