SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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Auswählen	Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	RoHS	ECAD Model	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Handelsname
	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 7.37 309Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	309Auf Lager	CHF 7.37 CHF 4.47 CHF 4.40	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 17.68 724Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. AIMW120R045M1XKSA1 Mouser-Teilenr. 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules	Datenblatt	724Auf Lager	CHF 17.68 CHF 12.96	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 11.58 1’731Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R027M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	1’731Auf Lager	CHF 11.58 CHF 7.20 CHF 6.98 CHF 6.90	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 4.30 9Auf Lager 25’000Auf Bestellung	Herst. Teilenr. IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	9Auf Lager 25’000Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMBF170R1K0M1XTMA1 Lagerbestand: 9 sofort lieferbar Auf Bestellung: 2’000 erwartet ab 07.01.2027 23’000 Noch festzulegen Lieferzeit ab Hersteller: 53 Wochen	Cut-Tape CHF 4.30 CHF 2.27 CHF 2.08 CHF 1.81 Reel CHF 1.68 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 6.51 18Auf Lager 720Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMW120R140M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	18Auf Lager 720Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMW120R140M1HXKSA1 Lagerbestand: 18 sofort lieferbar Auf Bestellung: 240 erwartet ab 05.11.2026 480 Noch festzulegen Lieferzeit ab Hersteller: 52 Wochen	CHF 6.51 CHF 3.44 CHF 3.10 CHF 2.96	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 13.02 2’160Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R030M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	2’160Auf Bestellung	CHF 13.02 CHF 8.24 CHF 7.80	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: CHF 3.44 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R072M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen	CHF 3.44 CHF 3.43	Min.: 240 Mult.: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC