IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs HV GAN DISCRETES

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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Datenblatt:
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Infineon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: GaN Power Transistor
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Indonesien
Herstellungsland:
Indonesien
Land der Verbreitung:
Österreich
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolGan™ 600 V E-Modus-Leistungstransistoren

Die CoolGan™ 600V E-Modus-Leistungstransistoren (Enhancement Mode, e-mode) von Infineon Technologies ermöglichen einfachere Halbbrücken-Topologien mit schnellen Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten. Die robusten und zuverlässigen Transistoren sind in hochleistungsfähigen  SMD-Gehäusen erhältlich, um die GaN-Vorteile voll auszuschöpfen. Die Transistoren zeichnen sich durch einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte, eine höhere Betriebsfrequenz sowie eine reduzierte EMI aus. Zu den Applikationen gehören Telekommunikations-/Datenkommunikations-/Server-SNT, drahtloses Laden, Ladegeräte und Adapter.

CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650-V-Leistungstransistoren verfügen über die hocheffiziente GaN(Galliumnitrid)-Transistor-Technologie für eine Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich bis 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Modus-Konzept mit hohen End-to-End-Produktionsvolumina zur Reife. Diese wegweisende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet die zuverlässigste Leistung. Die CoolGaN™ Gen 2 650-V-Anreicherungsmodus-Leistungstransistoren verbessern Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schnellem Schalten.

Auf Lager: 613

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CHF -.--
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CHF -.--
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Preis (CHF)

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Erw. Preis
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CHF 3.18 CHF 31.80
CHF 2.91 CHF 291.00
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CHF 2.35 CHF 1’880.00

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