SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

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Ergebnisse: 29

Angewendete Filter:

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Handelsname
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 11.17 617Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	617Auf Lager	Cut-Tape CHF 11.17 CHF 6.80 CHF 6.32 Reel CHF 5.97 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.07 368Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	368Auf Lager	CHF 5.07 CHF 3.52 CHF 3.29	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.63 825Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	825Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.63 CHF 3.88 CHF 3.50 CHF 3.33 Reel CHF 3.28 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.36 2’469Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	2’469Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.36 CHF 2.85 CHF 2.56 Reel CHF 2.27 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 8.39 303Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	303Auf Lager	Cut-Tape CHF 8.39 CHF 4.67 CHF 4.40 Reel CHF 4.17 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 13.17 2’254Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	2’254Auf Lager	Cut-Tape CHF 13.17 CHF 7.89 Reel CHF 7.37 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 6.16 6’541Auf Lager 9’000Auf Bestellung	Herst. Teilenr. IMBF170R450M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	6’541Auf Lager 9’000Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMBF170R450M1XTMA1 Lagerbestand: 6’541 sofort lieferbar Auf Bestellung: 3’000 erwartet ab 08.07.2027 6’000 Noch festzulegen Lieferzeit ab Hersteller: 52 Wochen	Cut-Tape CHF 6.16 CHF 4.12 CHF 3.31 CHF 2.95 Reel CHF 2.61 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 1’000 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 12.59 370Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW120R030M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	370Auf Lager	CHF 12.59 CHF 8.50 CHF 8.10	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 7.44 1’054Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW120R090M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	1’054Auf Lager	CHF 7.44 CHF 3.99 CHF 3.67 CHF 3.49	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.82 3’851Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW120R220M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	3’851Auf Lager	CHF 5.82 CHF 3.03 CHF 2.79 CHF 2.78 CHF 2.52	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 11.77 1’701Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R027M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	1’701Auf Lager	CHF 11.77 CHF 7.08 CHF 6.98	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 8.66 341Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R048M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	341Auf Lager	CHF 8.66 CHF 4.71 CHF 4.35 CHF 4.32	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 9.23 855Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	855Auf Lager	CHF 9.23 CHF 6.68 CHF 5.56 CHF 4.95 CHF 4.63	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 7.85 950Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R090M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	950Auf Lager	CHF 7.85 CHF 4.23 CHF 3.90 CHF 3.75	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 8.38 298Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	298Auf Lager	CHF 8.38 CHF 4.82 CHF 4.46	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.48 2’436Auf Lager	Herst. Teilenr. IMBF170R650M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	2’436Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.48 CHF 3.59 CHF 2.64 CHF 2.35 Reel CHF 2.08 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 6.05 3’842Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	3’842Auf Lager	Cut-Tape CHF 6.05 CHF 3.25 CHF 2.97 Reel CHF 2.76 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.05 1’420Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	1’420Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.05 CHF 3.30 CHF 2.44 CHF 2.21 Reel CHF 2.21 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 500 : 1’000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 6.41 314Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R072M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	314Auf Lager	CHF 6.41 CHF 3.68 CHF 3.43 CHF 3.29	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 6.09 463Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R107M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	463Auf Lager	CHF 6.09 CHF 3.19 CHF 2.94 CHF 2.71	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 8.92 45Auf Lager 720Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMW120R060M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	45Auf Lager 720Auf Bestellung	CHF 8.92 CHF 6.30 CHF 5.26 CHF 4.68 CHF 4.37	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.73 44Auf Lager 960Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMW120R350M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	44Auf Lager 960Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMW120R350M1HXKSA1 Lagerbestand: 44 sofort lieferbar Auf Bestellung: 720 erwartet ab 03.12.2026 240 erwartet ab 10.12.2026 Lieferzeit ab Hersteller: 52 Wochen	CHF 5.73 CHF 3.75 CHF 2.77 CHF 2.45 CHF 2.17	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 6.58 19Auf Lager 2’160Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R220M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	19Auf Lager 2’160Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMZ120R220M1HXKSA1 Lagerbestand: 19 sofort lieferbar Auf Bestellung: 960 erwartet ab 25.03.2027 1’200 erwartet ab 15.04.2027 Lieferzeit ab Hersteller: 52 Wochen	CHF 6.58 CHF 4.40 CHF 3.54 CHF 3.14 CHF 2.79	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 5.76 179Auf Lager 240erwartet ab 28.01.2027 NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R350M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Datenblatt	179Auf Lager 240erwartet ab 28.01.2027	CHF 5.76 CHF 3.85 CHF 3.10 CHF 2.74 CHF 2.43	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: CHF 12.80 17Auf Lager 3’600Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	17Auf Lager 3’600Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMZA65R027M1HXKSA1 Lagerbestand: 17 sofort lieferbar Auf Bestellung: 1’680 erwartet ab 05.10.2027 1’920 Noch festzulegen Lieferzeit ab Hersteller: 52 Wochen	CHF 12.80 CHF 7.25 CHF 7.19 CHF 7.18	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC