U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba  U-MOSVI-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von -40 V, die sich hervorragend für Fahrzeug anwendungen eignen. Sie verfügen über eine Gate-Drive-Spannung von -4,5 V im Vergleich zu -6 V für  herkömmliche Produkte im DPAK+-Gehäuse. Dies ermöglicht die Verwendung von Systemen, auch wenn die Batteriespannung sinkt. Die MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Toshiba MOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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44’969Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 460 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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46’180Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 44 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 158 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3’980Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3’753Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 156 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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12’650Auf Lager
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 230 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.7 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 160 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
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6’473Auf Lager
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: 8’000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 480 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
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: 3’000

Si SMD/SMT TSOP6F P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 24.2 nC + 150 C 1.5 W AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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6’000Auf Bestellung
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 50 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 36 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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6’000erwartet ab 16.11.2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 37 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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5’000erwartet ab 17.08.2026
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.6 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3’800erwartet ab 11.09.2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs -60 V 27.3mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF)
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5’000erwartet ab 07.08.2026
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Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 27.3 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 71 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs -60 V 52mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF)
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5’000erwartet ab 13.01.2027
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Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 52 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 47 nC + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohm@10V, DFN2020B(WF)
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36’000Auf Bestellung
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Si SMD/SMT DFN2020B-6 P-Channel 1 Channel 30 V 24 A 144 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape