iS20M028S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M028S1P
iS20M028S1P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

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Datenblatt:
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iDEAL Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
40 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
26.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SuperQ
Tube
Marke: iDEAL Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11.3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 16 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 1.9 ns
Serie: 200V
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 24.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.5 ns
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Datenblatt

Product Catalogs

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for SMPS and high-efficiency motor drives. The iDEAL Semiconductor iS20M028S1P MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. Featuring best-in-class RDS(on), QSW, and EOSS, this MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads. Applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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CHF -.--
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CHF 1.66 CHF 166.00
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