NVH4L020N090SC1

onsemi
863-NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
TO-247-4
EliteSiC
Marke: onsemi
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Serie: NVH4L020N090SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
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Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

900-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Das 900-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi verwenden eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgt der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chipgröße für eine geringe Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören beispielsweise ein hoher Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine verringerte EMI und eine reduzierte Systemgröße.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

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