NST160xCL 160 V 1,5 A NPN-Bipolartransistoren

Die 160 V 1,5 A NPN-Bipolartransistoren NST160xCL von onsemi sind Sperrschicht-Bipolartransistoren und zeichnen sich durch Hochstrom, niedrige Sättigungsspannung und hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Die Bauteile sind in einem 3,3 mm x 3,3 mm kleinen LFPAK8-Gehäuse mit flachem Profil untergebracht und haben eine niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter. Der NST160xCL von onsemi ist für Fahrzeuganwendungen geeignet und nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT -160V -1.5A PNP LOW SATURATION BJT
Datenblatt
2’875Auf Lager
Cut-Tape
CHF 1.01
CHF 0.894
CHF 0.609
CHF 0.479
CHF 0.421
Reel
CHF 0.221
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
SMD/SMT LFPAK-8 PNP Single 2.5 A 160 V 180 V 6 V 120 mV 2.2 W 87 MHz + 175 C NST1601CL Reel, Cut Tape
onsemi Bipolartransistoren - BJT 160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT
Datenblatt
1’638Auf Lager
Cut-Tape
CHF 0.945
CHF 0.596
CHF 0.391
CHF 0.303
CHF 0.274
Reel
CHF 0.225
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
Si SMD/SMT LFPAK-8 NPN Single 1.5 A 160 V 180 V 6 V 140 mV 800 mW 100 MHz + 175 C NST1602CL Reel, Cut Tape
onsemi NST1601CLTWG
onsemi Bipolartransistoren - BJT Bipolar Transistor -160V, -1.5A PNP Low VCE(sat) PNP Single
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Reel
CHF 0.244
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000
NST1601CL Reel