CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs bieten Superjunction-Technologien (SJ). Die SJ-Technologie eignet sich durch die Integration einer erstklassigen Leistungsfähigkeit mit modernster Benutzerfreundlichkeit hervorragend für Beleuchtungs- und Industrie-SNT-Applikationen. Die PFDJ bietet eine integrierte ultraschnelle Body-Diode, die den Einsatz in Resonanztopologien mit der geringsten Sperrverzögerungsladung (Qrr) ermöglicht.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1’835Auf Lager
Cut-Tape
CHF 3.33
CHF 1.69
CHF 1.54
CHF 1.28
Reel
CHF 1.21
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
712Auf Lager
CHF 2.83
CHF 1.41
CHF 1.28
CHF 1.03
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
782Auf Lager
CHF 12.13
CHF 6.82
CHF 6.70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
613Auf Lager
CHF 5.71
CHF 3.23
CHF 2.97
CHF 2.74
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1’189Auf Lager
2’000erwartet ab 30.11.2026
Cut-Tape
CHF 6.07
CHF 3.26
CHF 2.99
CHF 2.85
Reel
CHF 2.70
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1’132Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.97
CHF 1.50
CHF 1.35
CHF 1.10
Reel
CHF 1.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
3’695Auf Lager
CHF 3.36
CHF 1.67
CHF 1.52
CHF 1.25
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
49Auf Lager
500Auf Bestellung
CHF 6.07
CHF 3.25
CHF 2.98
CHF 2.70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
644Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.64
CHF 1.32
CHF 1.19
CHF 0.964
CHF 0.945
Reel
CHF 0.877
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
379Auf Lager
CHF 3.33
CHF 1.69
CHF 1.54
CHF 1.24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube