SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DRC15
SCT4013DRC15

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
105 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 32 S
Verpackung: Tube
Produkt: MOSFET's
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 32 ns
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 82 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns
Artikel # Aliases: SCT4013DR
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCT4013DR N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET SCT4013DR von ROHM Semiconductor   ist ein Hochleistungsbauelement, das für anspruchsvolle Leistungselektronikanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Nennspannung von 750 V zwischen Drain und Source und einem Dauersenkenstrom von 105 A (bei +25°C) bietet dieses Bauelement einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Leistung. Der niedrige Einschaltwiderstand von 13 mΩ (typisch) und die schnellen Schalteigenschaften machen den ROHM SCT4013DR ideal für Applikationen wie Stromversorgungen Umrichter und Motorantriebe. Der SCT4013DR profitiert außerdem von den inhärenten Vorteilen der SiC -Technologie einschließlich einer hohen Durchschlagspannung geringer Schaltverluste und einer überlegenen Wärmeleitfähigkeit die zu einer geringeren SystemGröße und verbesserter Zuverlässigkeit beitragen. Der in einem TO-247-4L Gehäuse verpackte MOSFET unterstützt ein robustes Wärmemanagement und eine einfache Integration in vorhandene Designs.

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (ID) und Quellen-Strom (IS) (TC = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

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