STP80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STP80N1K1K6
STP80N1K1K6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Tube
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 2 g
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Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh K6-Technologie und basiert auf 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie. Der STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET bietet einen erstklassigen Einschaltwiderstand auf der Fläche und Gate-Ladung. Das Bauelement ist ideal für leistungsstarke Dichte und effiziente Applikationen.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

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Preis (CHF)

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Erw. Preis
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CHF 1.01 CHF 10.10
CHF 0.901 CHF 90.10
CHF 0.721 CHF 360.50
CHF 0.684 CHF 684.00
CHF 0.658 CHF 1’316.00
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