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AIKQ120N75CP2XKSA1

Name: Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIKQ120N75CP2XKS
Price: 7.76 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-AIKQ120N75CP2XKS

Herst.- Nr.:

AIKQ120N75CP2XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs DISCRETE SWITCHES

Datenblatt:

AIKQ120N75CP2XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	750 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.3 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	150 A
Pd - Verlustleistung:	682 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	AIKQ120N75CP2 SP005416548

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AIKQ120N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT

Der Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT verfügt über eine Kollektor-Emitter-Sperrspannungsbelastbarkeit von 750 V. Der AIKQ120N75CP2 verfügt über weiche Schalteigenschaften, einen sehr niedrigen VCE(sat) von 1,30 V (typisch) und eine sehr enge Parameterverteilung. Das Bauteil verfügt außerdem über eine niedrige Gate-Ladung QG und ist mit einem schnellen sanften Freilaufemitter ausgestattet, der über 3 Dioden gesteuert wird.

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AIKQ120N75CP2XKSA1

Herst.: Infineon Technologies

Beschreibung: IGBTs DISCRETE SWITCHES

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AIKQ120N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT

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