Ergebnisse: 11
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1’463Auf Lager
1’000Auf Bestellung
Cut-Tape
CHF 31.10
CHF 25.38
CHF 22.43
CHF 22.30
Reel
CHF 20.94
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1’825Auf Lager
Cut-Tape
CHF 22.36
CHF 15.44
CHF 15.41
CHF 14.56
Reel
CHF 13.59
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1’499Auf Lager
500erwartet ab 07.12.2026
Cut-Tape
CHF 16.36
CHF 12.21
CHF 10.57
CHF 10.01
Reel
CHF 9.34
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 223Auf Lager
Cut-Tape
CHF 14.34
CHF 10.92
CHF 9.11
CHF 8.12
Reel
CHF 7.57
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1’593Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.90
CHF 6.65
CHF 6.52
Reel
CHF 6.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3’269Auf Lager
2’000Auf Bestellung
Cut-Tape
CHF 4.24
CHF 2.21
CHF 2.00
CHF 1.77
Reel
CHF 1.76
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1’000
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 69Auf Lager
1’000erwartet ab 17.12.2026
Cut-Tape
CHF 9.18
CHF 6.50
CHF 5.41
CHF 4.82
Reel
CHF 4.51
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 249Auf Lager
1’000erwartet ab 07.12.2026
Cut-Tape
CHF 7.55
CHF 5.16
CHF 4.25
CHF 3.79
Reel
CHF 3.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 227Auf Lager
2’000erwartet ab 03.12.2026
Cut-Tape
CHF 6.61
CHF 4.65
CHF 3.76
CHF 3.35
Reel
CHF 2.96
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 150Auf Lager
4’000Auf Bestellung
Cut-Tape
CHF 5.20
CHF 3.41
CHF 2.51
CHF 2.23
Reel
CHF 1.97
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2’000erwartet ab 10.12.2026
Cut-Tape
CHF 5.75
CHF 3.85
CHF 3.09
CHF 2.74
Reel
CHF 2.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement