SCT3x SiC-Trench-MOSFETs der 3. Generation

Die SiC-Trench-MOSFETs der SCT3x-Baureihe von ROHM Semiconductor nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den ON-Widerstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Dies führt zu deutlich niedrigeren Schaltverlusten und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten und verbessert den Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Reduzierung der Verlustleistung in einer Vielzahl von Geräten. Das Produktsortiment umfasst 650-V- und 1.200-V-Varianten für eine breite Anwendbarkeit.

Ergebnisse: 31
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 1’034Auf Lager
CHF 19.25
CHF 12.15
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
351Auf Lager
CHF 101.72
CHF 94.08
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
199Auf Lager
CHF 106.69
CHF 99.55
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
1’619Auf Lager
CHF 17.25
CHF 12.61
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N 495Auf Lager
CHF 40.78
CHF 34.75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 683Auf Lager
CHF 65.79
CHF 56.30
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
460Auf Lager
CHF 42.21
CHF 35.98
CHF 34.97
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
366Auf Lager
CHF 39.85
CHF 33.09
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
345Auf Lager
CHF 59.43
CHF 53.52
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
450Auf Lager
CHF 7.69
CHF 5.17
CHF 4.82
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
366Auf Lager
CHF 16.63
CHF 11.86
CHF 11.24
CHF 11.15
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
171Auf Lager
CHF 21.86
CHF 15.35
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
428Auf Lager
CHF 20.97
CHF 14.57
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N 169Auf Lager
CHF 15.84
CHF 13.20
CHF 12.21
CHF 11.92
CHF 11.31
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 529Auf Lager
CHF 17.42
CHF 13.79
CHF 11.93
CHF 11.29
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC 61Auf Lager
CHF 43.33
CHF 33.52
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC 150Auf Lager
CHF 15.31
CHF 9.06
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC 704Auf Lager
CHF 21.48
CHF 13.97
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC 195Auf Lager
CHF 41.43
CHF 31.72
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 87Auf Lager
CHF 15.00
CHF 11.51
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA 990Auf Lager
Cut-Tape
CHF 7.97
CHF 4.39
CHF 4.09
Reel
CHF 3.87
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET 753Auf Lager
Cut-Tape
CHF 7.79
CHF 4.29
CHF 3.97
Reel
CHF 3.75
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS 198Auf Lager
CHF 45.22
CHF 34.10
CHF 32.89
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS 84Auf Lager
CHF 26.91
CHF 18.32
CHF 17.92
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS 170Auf Lager
900erwartet ab 29.10.2026
CHF 13.22
CHF 7.51
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement