NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 12 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 14 ns
Serie: NTH4L060N065SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Regelabschaltverzögerungszeit: 24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

NTH4L060N065SC1 Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET

Der onsemi NTH4L060N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET bietet eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der MOSFET verfügt über einen niedrigen On-Widerstand und seine kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören folglich der höchste Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, eine geringere EMI und eine geringere Systemgröße.

650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

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