IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule basieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie, die Verluste reduziert und eine hohe Steuerbarkeit bietet. Das Zellkonzept zeichnet sich durch die Implementierung paralleler Trenchzellen aus, die im Gegensatz zu quadratischen Trench-Zellen durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind. Ein speziell optimierter Chip für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme bietet geringe statische Verluste, eine hohe Leistungsdichte und ein sanftes Schalten. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ermöglichen die Module eine deutliche Erhöhung der Leistungsdichte.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Technologie
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A dual IGBT module
Datenblatt
17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 750 A dual IGBT module
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datenblatt
33Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datenblatt
52Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datenblatt
27Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 300 A dual IGBT module
Datenblatt
5Auf Lager
10erwartet ab 11.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module PP IHM I
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 3
Mult.: 3

Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 750 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray