650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
503Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
564Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
7Auf Lager
5’000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
218Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
45Auf Lager
240erwartet ab 03.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
41Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 36 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 50 nC - 40 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
3’004Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
240erwartet ab 24.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
722erwartet ab 18.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1’880Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
240Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 234 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 29 A 194 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 39 nC - 40 C + 150 C 186 W Reel
Infineon Technologies IPDQ65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape