MMFTP2319

Diotec Semiconductor
637-MMFTP2319
MMFTP2319

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Datenblatt:
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Diotec Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
40 V
4.2 A
80 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
750 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Diotec Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 28 ns
Serie: MMFTN/P
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Models

Konformitätscodes
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.

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