DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance RDS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
Datenblatt
1’900Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Datenblatt
3’372Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
Datenblatt
1’043Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
Datenblatt
3’850Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
Datenblatt
1’357Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
Datenblatt
97Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Datenblatt
741Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
Datenblatt
177Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube