MDmesh™ DM6 600-V-Super-Junction-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM6 600V-Super-Junction-MOSFETs sind für ZVS-, Vollbrücken- und Halbbrücken-Topologien optimiert. Mit einer Durchlassspannung von 600 V kombinieren die MDmesh DM6 Leistungs-MOSFETs ein optimiertes Kapazitätsprofil mit Lebensdauertotzeitverfahren. Die MDmesh DM6 MOSFETs bieten eine niedrige Gate-Ladung (Qg), sehr niedrige Freilaufladung (Qrr), langsame Recoveryzeit (trr) und einen hervorragenden-RDS(on) pro Bereich.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET 478Auf Lager
CHF 6.76
CHF 3.67
CHF 3.37
CHF 3.12
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 270Auf Lager
CHF 8.18
CHF 5.61
CHF 4.62
CHF 4.50
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 585Auf Lager
CHF 6.45
CHF 4.03
CHF 3.47
CHF 2.92
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 2’637Auf Lager
Cut-Tape
CHF 6.57
CHF 4.08
CHF 3.48
CHF 3.14
CHF 2.86
Reel
CHF 2.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package 1’197Auf Lager
CHF 3.92
CHF 2.02
CHF 1.58
CHF 1.50
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
CHF 1.42
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
CHF 4.88
Min.: 600
Mult.: 600
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
CHF 10.90
CHF 7.97
CHF 6.64
CHF 5.91
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
CHF 3.88
Min.: 600
Mult.: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube