Integrierte 25V-Leistungsstufen mit hohem Wirkungsgrad

Infineon Technologies integrierte 25V-Leistungsstufen mit hohem Wirkungsgrad kombinieren eine moderne Niederspannungs-MOSFET-Technologie mit den neuesten Treiber-Designs. Die Leistungsstufen sind in bewährten Multichip-PQFN-Gehäusen untergebracht und bieten ein Bauteil mit erstklassigem Wirkungsgrad für die Verwaltung der Prozessorleistung. Die Integration der Treiber-, FET- und Gehäuse-Technologie zeichnet sich durch eine leistungsstarke Kombination der Leistungsfähigkeiten von Infineon und International Rectifier aus. Die Leistungsstufen dieses Portfolios sind in branchenüblichen 5 x 6 Footprints mit verschiedenen Nennströmen erhältlich und erfüllen die High-End- und Preis-Leistungsanforderungen.