2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren
Die n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren (FETs) 2N7002 von Diodes Incorporated sind für Niederspannungsschaltanwendungen konzipiert. Diese Bauteile 2N7002 zeichnen sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V, einen kontinuierlichen Drain-Strom (ID) im Bereich von 105 mA bis 210 mA und einen niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(on)] im Bereich von 7,5 Ω bis 13,5 Ω aus. Die FETs bieten eine schnellere Schaltleistung mit niedriger Gate-Ladung, die für die Signalverarbeitung, Lastschaltung und Pegelverschiebungsapplikationen geeignet sind. Die Transistoren von Diodes Inc. sind in SOT-23- oder SOT-323-Gehäusen untergebracht, was eine platzsparende Lösung für Schaltungsdesigns mit hoher Packungsdichte gewährleistet. Darüber hinaus sind die FETs 2N7002 bleifrei, RoHS-konform und für die automatisierte Oberflächenmontage konzipiert.
