MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

Ergebnisse: 12
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2’335Auf Lager
Cut-Tape
CHF 3.71
CHF 1.91
CHF 1.73
CHF 1.48
Reel
CHF 1.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 765Auf Lager
Cut-Tape
CHF 3.56
CHF 1.82
CHF 1.65
CHF 1.40
Reel
CHF 1.30
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 2’318Auf Lager
Cut-Tape
CHF 4.79
CHF 2.51
CHF 2.29
CHF 2.09
CHF 1.97
Reel
CHF 1.97
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET 988Auf Lager
CHF 6.06
CHF 3.46
CHF 2.91
CHF 2.59
CHF 2.33
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 997Auf Lager
CHF 2.07
CHF 1.01
CHF 0.901
CHF 0.727
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 1’055Auf Lager
CHF 2.05
CHF 1.01
CHF 0.901
CHF 0.721
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 698Auf Lager
CHF 3.06
CHF 2.12
CHF 1.57
CHF 1.35
CHF 0.934
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 37Auf Lager
2’000erwartet ab 23.04.2027
CHF 2.93
CHF 1.92
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package 48Auf Lager
1’000erwartet ab 20.08.2027
CHF 5.72
CHF 3.30
CHF 2.51
CHF 2.20
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET 159Auf Lager
CHF 3.94
CHF 2.04
CHF 1.85
CHF 1.53
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
CHF 1.69
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
CHF 0.783
CHF 0.773
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube