NTBG023N065M3S

onsemi
863-NTBG023N065M3S
NTBG023N065M3S

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 10 V, + 22.6 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9.6 ns
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: SiC MOSFETS
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 15 ns
Serie: NTBG023N065M3S
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
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NTBG025N065SC1 19 mohm Siliziumkarbid-MOSFET

Der onsemi NTBG025N065SC1 19-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET ist in einem D2PAK-7L-Gehäuse untergebracht und auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt. Die NTBG025N065SC1 Bauteile von onsemi bieten eine 10x höhere dielektrische Durchbruchfeldstärke und eine 2x höhere Elektroden-Sättigungsgeschwindigkeit. Die MOSFETs bieten auch eine 3x höhere Energiebandlücke und 3x höhere Wärmeleitfähigkeit. Alle SiC-MOSFETs von onsemi umfassen AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt und qualifiziert sind.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC-MOSFET

Der NTBG023N065M3S 23 m Ω EliteSiC-MOSFET von Onsemi  bietet eine M3S-Planar-Technologie für schnellschaltende Applikationen in einem D2PAK-7L-Gehäuse. Dieser MOSFET verfügt über Drain-Source-Spannung von 650 V, einen Dauersenkenstrom von 40 A, eine Verlustleistung von 263 W und einen gepulsten Drainstrom von 216 A. Der NTBG023N065M3S MOSFET enthält eine extrem niedrige Gate-Ladung und einen Hochgeschwindigkeits-Schalt-MOSFET mit niedriger Kapazität (Coss = 153 pF). Dieser MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben und ist 100 % Avalanche-getestet. Der NTBG023N065M3S MOSFET ist halogenfrei und RoHs-konform mit einer Ausnahme 7a. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltnetzteile (SNT), Solar-Wechselrichter, USV, Energiespeicherung und EV-Ladeinfrastruktur.

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