R60/R65 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die R60/R65 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten einen Einkanal-Ausgang mit 600 V oder 650 V Drain-Source-Spannung in TO-220FM-3/SOT-223-3-Gehäusen. Die R60/R65 MOSFETs verfügen über eine Betriebstemperatur von -55°C bis 150°C/155°C und Verlustleistungsoptionen von 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W, 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W,, 53 W,, 74 W 68 W oder 86 W. Die R60/R65 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’932Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
Datenblatt
4’996Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’970Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’992Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’963Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’219Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Datenblatt
3’955Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 85 nC - 55 C + 155 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
Datenblatt
6’712Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4’000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms - 30 V, 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
Datenblatt
7’418Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4’000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms - 20 V, 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
7’142Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4’000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
7’655Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4’000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
Datenblatt
2’403Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 650V 42A N-CH MOSFET
Datenblatt
4’934Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datenblatt
1’869Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datenblatt
1’951Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Datenblatt
996Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Datenblatt
989Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
Datenblatt
778Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
Datenblatt
487Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
Datenblatt
3’457Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
1’856Auf Lager
4’000erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4’000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Datenblatt
965Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Datenblatt
966Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 60A N-CH MOSFET
Datenblatt
366Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube