NDSH40120CDN

onsemi
863-NDSH40120CDN
NDSH40120CDN

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3LD
Dual Anode Common Cathode
52 A
1.2 kV
1.36 V
123 A
2.39 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH40120CDN
Tube
Marke: onsemi
Pd - Verlustleistung: 217 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
Vr - Sperrspannung: 1.2 kV
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
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D3 EliteSiC-Dioden

onsemi D3 EliteSic-Dioden sind eine Lösung für Applikationen, die eine Hochleistungs-PFC und Ausgangsgleichrichtung erfordern. Die D3 von onsemi verfügt über eine maximale Nennspannung von 1.200 V. Diese Dioden sind in zwei Gehäuseoptionen, TO-247-2LD und TO-247-3LD verfügbar und bieten Flexibilität für verschiedene Designs. Die D3 EliteSiC-Dioden sind für einen Hochtemperaturbetrieb mit niedriger Temperaturabhängigkeit des Serienwiderstands optimiert und gewährleisten eine konsistente und zuverlässige Leistung selbst unter extremen Bedingungen.

NDSH40120CDN Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Diode

Die onsemi NDSH40120CDN Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Diode bietet im Vergleich mit Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die Diode von onsemi hat keinen Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Leistung. Weitere Systemvorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten.

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