UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs

Die SiC-FETs von Onsemi  UF4C/SC 1.200 V Gen 4 sind eine Hochleistungsserie, die die branchenweit besten Leistungszahlen (Figures of Merit) liefert. Die UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC FETs sind ideal für Mainstream 800 V Bus-Architekturen in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, industrielle Batterieladegeräte, industrielle Stromversorgungen, erneuerbare Energien, Energiespeicherung, Schweißmaschinen, USV und Induktionsheizungsanwendungen. Die Baureihe der 4. Generation ist in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, bei der ein leistungsstarker SiC-JFET mit einem kaskodenoptimierten Si-MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein SiC-Bauteil mit Standard-Gate-Drive zu erstellen. Diese Eigenschaft ermöglicht ein flexibles Design ohne Änderung der Gate-Treiberspannung, so dass Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs oder Si Super-Junction-Bauelemente problemlos ersetzt werden können.

Ergebnisse: 11
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24
Datenblatt
673Auf Lager
CHF 21.21
CHF 17.77
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
388Auf Lager
CHF 11.63
CHF 7.49
CHF 6.30
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
747Auf Lager
CHF 13.25
CHF 7.78
CHF 7.52
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
580Auf Lager
Cut-Tape
CHF 12.84
CHF 7.63
CHF 7.54
Reel
CHF 7.22
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
513Auf Lager
Cut-Tape
CHF 11.14
CHF 6.39
Reel
CHF 6.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26
Datenblatt
717Auf Lager
Cut-Tape
CHF 17.60
CHF 11.45
CHF 11.24
Reel
CHF 11.24
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
Datenblatt
282Auf Lager
CHF 13.02
CHF 7.39
CHF 7.36
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
Datenblatt
273Auf Lager
CHF 11.33
CHF 6.33
CHF 6.13
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs UF4C120053B7S
Datenblatt
200Auf Lager
CHF 14.00
CHF 10.67
CHF 8.88
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs UF4C120070B7S
Datenblatt
170Auf Lager
CHF 11.63
CHF 8.86
CHF 7.39
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
Datenblatt
12’000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
CHF 11.36
Min.: 600
Mult.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET