1200 V CoolSiC™-M1H-Module

Infineon Technologies 1.200 V CoolSiC™ M1H Module bieten Entwicklern von EV-Ladegeräten und anderen Wechselrichter die Möglichkeit, um nie dagewesene Effizienz und Leistungsdichten-Niveaus zu erreichen.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Infineon Technologies MOSFET-Module CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies MOSFET-Module EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
Datenblatt
36erwartet ab 23.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Datenblatt
72erwartet ab 11.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies MOSFET-Module Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Datenblatt
120Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
Discrete Semiconductor Modules Si