EVAL-LT8418-AZ

Analog Devices
584-EVAL-LT8418-AZ
EVAL-LT8418-AZ

Herst.:

Beschreibung:
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung LT8418 Half Bridge Driver with GaN Syste

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Analog Devices Inc.
Produktkategorie: IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
80 V
80 V
LT8418
LT8418
Marke: Analog Devices
Beschreibung/Funktion: 100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch
Ausgangsstrom: 10 A
Verpackung: Bulk
Produkt-Typ: Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
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Ausgewählte Attribute: 0

                        
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Konformitätscodes
CAHTS:
8473302000
USHTS:
8473301180
MXHTS:
8473300401
ECCN:
3A991.n
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Vereinigte Staaten
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EVAL-LT8418-xZ Evaluierungsboard

Das Analog Devices Inc. EVAL-LT8418-xZ Evaluierungsboard verfügt über den LT8418, der zwei eGAN-FETs (enhanced Gallium Nitride, eGAN) in einer Halbbrücken-Konfiguration ansteuert. Die Schaltung ist als Abwärtswandler optimiert, kann aber auch als Aufwärtswandler oder als andere aus einer Halbbrücke bestehende Wandlertopologien verwendet werden. Die Evaluierungsschaltung liefert bis zu 10 A mit gutem Wärmemanagement. Je nach Konfiguration sind externe Einzel- oder zwei PWM-Signale erforderlich, um das Board anzusteuern. In der Einzel-Eingangs-Einrichtung erzeugt die Totzeit-Schaltung auf dem Board das Ergänzungssignal und legt die Totzeit fest. Die Totzeit-Schaltung wird in der Dual-Eingangs-Einrichtung umgangen. Der LT8418 Treiber von Analog Devices Inc. verfügt über leistungsstarke Pull-Down-Treiber von 0,2 Ω und Pull-up-Treiber von 0,6 Ω, die zwei 100-V-GaN-FETs ansteuern. Außerdem verfügt der Treiber über einen integrierten Smart-Bootstrap-Schalter zur Erzeugung einer ausgeglichenen Bootstrap-Spannung von VCC mit einer minimalen Dropout-Spannung. Der LT8418 bietet geteilte Gate-Treiber zur Unterdrückung des Überschwingens und Optimierung der EM-Leistung, indem die Ein- und Ausschaltraten der GaN-FETs angepasst werden.

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