NVHL015N065SC1

onsemi
863-NVHL015N065SC1
NVHL015N065SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
163 A
12 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
283 nC
- 55 C
+ 175 C
643 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 44 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 77 ns
Serie: NVHL015N065SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 25 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

NVHL015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET

Der onsemi NVHL015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET verwendet eine neue Technologie, die eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bietet. Dieser SiC-MOSFET verfügt über einen n-Kanal, einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Der NVHL015N065SC1 MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chip-Größe, die eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Dieser EliteSiC-MOSFET ist 100 % UIL-getestet und AEC−Q101-qualifiziert. Der NVHL015N065SC1 MOSFET verfügt über eine Drain−to−Source-Spannung von 650 V und einen Widerstand von 12 mOhm. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-Traktionswechselrichter, DC/DC-Wandler für EV/HEV und On-Board-Ladegeräte.

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CHF -.--
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CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 30.84 CHF 30.84
CHF 22.89 CHF 228.90
CHF 22.88 CHF 2’745.60
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