5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen. 

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Menge RoHS
MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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17Auf Lager
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CHF 113.46
CHF 95.85
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CHF 91.46
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: 50
MACOM MOSFET HF-Transistoren 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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90Auf Lager
Cut-Tape
CHF 94.97
CHF 79.39
CHF 77.05
Reel
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MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250
MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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53Auf Lager
Cut-Tape
CHF 165.48
CHF 140.75
CHF 139.65
Reel
CHF 139.65
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Min.: 1
Mult.: 1
: 50
MACOM GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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