Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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IXYS MOSFETs 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
Datenblatt
2’639Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS MOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
Datenblatt
375erwartet ab 04.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS MOSFETs 600V 18A
Datenblatt
2’193Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 600V 26A
Datenblatt
900erwartet ab 08.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
Datenblatt
278erwartet ab 22.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
Datenblatt
298erwartet ab 18.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module 500V 66A
Datenblatt
299erwartet ab 26.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS MOSFETs 500V 80A
Datenblatt
300erwartet ab 16.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
Datenblatt
272erwartet ab 01.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs HiPERFET Id12 BVdass500
Datenblatt
99erwartet ab 10.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 500V 16A
Datenblatt
300erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 7 Amps 1000V
Datenblatt
290erwartet ab 11.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 500V 16A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS MOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs DIODE Id12 BVdass800
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 170 Amps 150V 0.013 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 15 Amps 1000V 0.76 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TO247 1KV 7A N-CH POLAR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3